100V/3A扬效应管N沟道MOS-AH310

描述

100V/3A扬效应管N沟道MOS-AH310采用的沟槽技术和设计提供低栅极电荷的RDS（ON）。信息技术可用于多种应用。

一般特征:

 VDS=100V，ID=3A

RDS（ON）<300mΩ @ VGS=10V（典型值：214mΩ)

全特性雪崩电压和电流

Rdson的高密度单元设计

良好的散热包装

100V/3A扬效应管N沟道MOS-AH310应用领域● 电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源、LED灯、POE控制做开关等等

参数：

漏源极电压VDS 100 V

栅源电压VGS±20 V

漏极电流连续ID 3 A

漏电流脉冲（注1）IDM   8A

大功耗PD  3W

工作连接和存储温度范围TJ，TSTG -55至175℃